百货2017年获得德国洪堡研究奖（HumboldtResearchAward）。
图2：全部期原子分辨切片横截面的HAADF-STEM图(a-c):TiO2/PTO，STO/PTO以及BFO/PTO异质结，每张图中的黑色箭头指向其异质结界面原子层。【成果简介】近日，玩意浙江大学韩高荣教授、玩意任召辉副教授课题组与张泽院士、田鹤研究员课题组通力合作，设计并发展了一种以铁电极化表面静电力来驱动氧化物外延生长，从而制备高质量铁电氧化物异质结的新方法。
百货这一发现将对铁电氧化物异质结的设计与制备起到重要的指导意义。全部期相关的研究成果以题为ElectrostaticForce-DrivenOxideHeteroepitaxyforInterfaceControl发表在AdvancedMaterials上。玩意(d-f):垂直于每个异质结HAADF-STEM图界面的强度线。
(d-f):分别对应于TiO2/PTO、百货STO/PTO和BFO/PT原子位移大小变化。(d-g):异质结匹配模型中PTO、全部期Ti02、STO以及BFO外延生长晶面的俯视图。
因此,基于铁电极化设计并构建钙钛矿氧化物的异质结、玩意系统研究异质结的生长与调控、玩意界面屏蔽机制及其功能性，这将为新型光电、磁性、催化、传感等方面的拓展应用提供重要的理论支持。
【小结】本论文以钙钛矿铁电氧化物及其异质结的生长、百货微结构及性能表征为核心，百货提出了通过铁电极化表面静电力驱动外延异质结生长的方法，开展了钙钛矿铁电氧化物的微结构、铁电极化、极化屏蔽与性能之间的关联性的研究。其中,钙钛矿铁电氧化物因其独特的铁电极化性能和极化屏蔽性能，全部期这已被广泛地研究及应用。
【文献链接】ElectrostaticForce–DrivenOxideHeteroepitaxyforInterfaceControl（AdvancedMaterials，玩意2018。百货(b):STO/PTO异质结界面电子能量损失谱图。
(c):STO/PTO异质结构生长模型的示意图，全部期浅蓝色虚线箭头表示电子的转移方向，其中步骤2中的灰色箭头表示去极化场EDEP。玩意(d-f):垂直于每个异质结HAADF-STEM图界面的强度线。
